![p型CuAlO2薄膜的制备与性能表征]()
论文摘要CuAlO2是一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族间接禁带半导体,在可见光范围内透明,直接光学禁带宽度约为3.5eV,是最早发现的Cu基p型半导体。CuAlO2在光电领域有其独特的性能,具...
![弛豫铁电薄膜PMN-0.26PT的制备及其性能的研究]()
论文摘要铁电薄膜材料具有良好的压电性,铁电性,热释电性,电光及非线性光学特性等,可广泛地应用于微电子学,光电子学,集成铁电学和微电子机械系统等,成为国际上新型功能材料与集成器件...
![三氧化钨氢敏材料的制备及其性能研究]()
论文摘要氢能具有高效、清洁、环保、可再生等优点,目前受到广泛关注。氢气同时又具有易燃易爆的特点,为了安全利用氢能,有必要研制和使用灵敏度高、工作性能稳定的氢气传感器,而制备性能...
![Cu（In，Al）Se2（CIAS）薄膜材料制备工艺与性能的研究]()
论文摘要近年来,铜铟硒类薄膜太阳能电池由于材料较佳的光学能隙（Eg）、吸收率高（105/cm）、抗辐射能力强和长期稳定的性能而备受人们关注,而且其生产也正趋于工业化,如何降低生...
![过渡金属掺杂的LaMO3（M＝Cr，Ni）复合氧化物的合成与气敏性质研究]()
论文摘要ABO3钙钛矿型氧化物具有高度的热稳定性和晶体结构稳定性，并且对某些气体具有很高的灵敏度和良好的选择性，其气敏特性还可以通过A位或B位的掺杂而得到改善，近年来引起了研究...
![Ti-Al缓冲层对Pb（Zr，Ti）O3异质结的结构和性能影响]()
论文摘要本实验采用磁控溅射法（MagnetronSputtering）和溶胶凝胶法（Sol-Gel）在不同衬底材料上,制备含非晶Ti-Al缓冲层的Pb（Zr,Ti）O3（PZT...
![纳米晶钙钛矿型La（Pb）Fe（Co，Ni）O3的制备及气敏特性研究]()
论文摘要由于钙钛矿型稀土金属氧化物ABO3不仅具有催化性能，巨磁电阻效应，而且还具有良好的气敏性能，因而它引起了材料工作者的极大兴趣。它的功能性质不仅可以通过改变A、B位的元素...
![ZnO薄膜制备及其光、电性能研究]()
论文摘要六方纤锌矿结构的ZnO材料由于其具有独特的电学和光学性能,在压电、气体传感器、光电器件等领域有广泛的应用。本文采用Sol-gel法和RF磁控溅射法在玻璃和Si（111）...
![氮化锌粉末和薄膜的制备及特性研究]()
论文题目:氮化锌粉末和薄膜的制备及特性研究论文类型:博士论文论文专业:微电子学与固体电子学作者:宗福建导师:马洪磊,薛成山关键词:氮化锌粉末,氮化锌薄膜,氮化法,磁控溅射法,结...
![吴丽滨：多孔Cu2S@MoZn薄膜对电极的制备及其性能研究论文]()
本文主要研究内容作者吴丽滨,王瑞芳,贾晋虹（2019）在《多孔Cu2S@MoZn薄膜对电极的制备及其性能研究》一文中研究指出：本文采用磁控溅射法,以钠钙玻璃为基底,溅射一层Mo...
![王雪文：Mg掺杂InxGa1-xN薄膜的磁控溅射法制备和表征（英文）论文]()
本文主要研究内容作者王雪文,吴朝科,高海波,翟春雪,李振杰,张志勇,贺琳（2019）在《Mg掺杂InxGa1-xN薄膜的磁控溅射法制备和表征（英文）》一文中研究指出：采用磁控溅...
