射频磁控溅射论文

论文摘要氮化硼(BN)是一种Ⅲ～Ⅴ族半导体多功能材料,广泛应用于机械、热学、电子、光学、抗辐射、高频电子器件等领域。立方氮化硼(cBN)薄膜具有极其优异的物理、化学性质而受到广...

论文摘要铝镁硼（AlMgB14）作为一种新型超硬纳米材料,以其优异的机械、热学和电学性能有着广泛的应用前景。铝镁硼（Al-Mg-B）薄膜的元素成分、表面形貌、内部结构等对其机械...

论文摘要与传统E2PROM,FLASH等非挥发性存储器相比,新型非挥发铁电存储器FRAM具有低操作电压、快速读写操作、低功耗、信息保持时间长等优异的特性,因而非常适合于嵌入式开...

论文摘要近几年来,多铁材料由于其同时具有铁电性和铁磁性而成为人们研究的焦点,被认为在信息存储、自旋电子器件、传感器等领域有广阔的应用前景。在单相多铁材料中,BiFeO3（BFO...

论文摘要本文主要研究了两种掺杂ZnO薄膜的制备方法,以及杂质掺入后对其晶体结构、电化学性质的影响。研究的内容包括如下两个部分：一、4种不同比率ZnO1-xSx薄膜的制备,及其结...

论文摘要多铁材料在信息储存、自旋电子器件,磁传感器以及电容、电感一体化器件等方面都显示出了潜在的应用前景,而用磁性元素对LiNbO3薄膜的掺杂有望获得铁电铁磁性共存,将形成一种...

论文摘要NiO（氧化镍）是一种宽禁带半导体材料,呈现p型导电性质而且它具有较好的化学、电学,光学和磁学特性,因此得到了人们广泛的研究并且在各种光电器件,例如：紫外探测器,化学传...

论文摘要在当今世界能源危机日益严重的形势下,人们对太阳能电池的研究取得了很大的发展。高质量的太阳能电池,特别是薄膜太阳能电池,其性能强烈的依赖于作为窗口电极的透明导电膜层的性能...

论文摘要太阳能光伏技术是人类在21世纪必须掌握的核心技术之一，当今世界环境、经济和能源问题突出，而太阳能的应用是解决能源与环境问题的有效途径，如今，光伏发电技术和太阳能产业的发...

论文摘要铁电薄膜及其集成器件是当前材料科学和微电子领域的研究热点。本文以研发铁电薄膜红外探测器阵列为目标,利用磁控溅射法制备了BST铁电薄膜,研究了金属电极和BST薄膜的微加工...

论文摘要随着卫星通信，网络通信以及无线通信等向高频化（4.8GHz以上）的发展，高频声表面波器件必须具有高声速、高机电耦合系数、低声速频散等特性。“金刚石/压电薄膜”多层膜结构...

论文摘要柴油机电控高压共轨喷射系统由电控系统和燃油供给系统两部分组成,电控系统由传感器、电子控制单元（ECU）和执行机构三部分组成。传感器是共轨系统核心组成部分之一,而轨压传感...

论文摘要ZnO是一种直接宽带隙化合物半导体材料,室温下禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能（60meV）。近年来,ZnO纳米材料受到广泛关注,在紫外光发射、场效应管透明传导方面...

论文摘要ZnO是一种具有广泛用途的新型Ⅱ-Ⅵ族多功能半导体材料,其室温禁带宽度是3.37eV,具有良好电学和光学特性,是制作紫外探测器件和紫外发光器件的理想材料。目前生长较高质...

论文摘要氧化镍是具有典型的3d电子结构的半导体氧化物,是一种P型氧化物材料,它的禁带宽度在3.0-4.0eV之间。由于NiO薄膜具有很好的化学稳定性,较好的光学,电学和磁学特性...

论文摘要ZnO作为一种宽禁带半导体材料（室温下禁带宽度为3.37eV）,具有比GaN更高的激子束缚能（60meV）,具有良好的压电和光电等性能,继GaN之后成为光电研究领域的又...

论文摘要ZnO的室温禁带宽度是3.37eV,激子束缚能高达60meV,作为一种重要的光电信息功能材料,其p型掺杂问题是目前国际上最为关注的前沿领域。与此同时,由于ZnO通过适当...

论文摘要鉴于在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备纯钙钛矿相Pb（Mg1/3Nb2/3O3）-PbTiO3（PMN-PT）薄膜是制约其应用的主要瓶颈,本文着重研究了TiO2种子...

论文摘要当射频、微波、太赫兹（THz）波和光波段集成系统各自逐渐形成后，一个新的科学构想随之诞生，那就是能不能研究一种薄膜可同时应用于微波、THz和光波段，实现全频段大集成系统...

论文摘要Ⅲ-Ⅴ族晶体半导体材料由于其稳定性好,高吸收系数、高迁移率,可望在室温工作等特点已引起人们广泛注意。与晶体Ⅲ-Ⅴ族半导体相比,非晶态半导体材料具有成本低、制备工艺简单的...