脉冲激光沉积论文

一、紧聚焦的飞秒激光脉冲在真空中对电子的加速（论文文献综述）朱常青[1]（2021）在《激光电子加速及辐射的控制与超快应用》文中研究指明等离子体加速具有不受电离阈值的限制和极高...

论文摘要β-FeSi2是一种新型的半导体材料,它在发光、光电、热电等方面都具有优异的性能,可用于制作薄膜发光器件、薄膜太阳能电池、热电器件、磁性半导体器件等。β-FeSi2有很...

论文摘要硅（Si）基电子学和集成电路已成为当代发展电子计算机、通信、电子控制和信息处理等高科技领域的强大支柱,因此,硅基半导体电子产业已成为当今信息产业的主导。硅基发光材料能够...

论文摘要通过溅射和蒸发等方法制备的Mg-Ni基合金薄膜,由于结构可控,在储氢方面性能优越。PdAg复合的Mg-Ni合金薄膜在同位素分离领域更具有一定的应用前景。本文主要研究内容...

论文摘要电子信息系统对于微型化、单片化的不断追求,向电子薄膜及其集成器件的尺寸和功能性提出了更高的要求,促进了将氧化物功能材料以固态薄膜的形式与具有载流子输运能力的半导体集成方...

论文摘要微电子学（Microelectronics）是电子学的一门分支学科,主要是研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用,并利用它实现信号处理功能的学科。微电子学是以实现...

论文摘要氧化锌（ZnO）作为宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,因其室温下高达60meV的激子束缚能而具有优良的光电性能,并受到了人们的广泛关注。ZnO在透明导电薄膜（transpare...

论文摘要本文主要研究了两种掺杂ZnO薄膜的制备方法,以及杂质掺入后对其晶体结构、电化学性质的影响。研究的内容包括如下两个部分：一、4种不同比率ZnO1-xSx薄膜的制备,及其结...

论文摘要透明导电氧化物（TCO）薄膜由于其优良的可见光透过性和导电性在平板显示器件、触摸面板、太阳能光伏电池、反射热镜、气体敏感器件和透明PN结等领域有着广阔的应用前景。本学位...

论文摘要电子回旋共振等离子体辅助脉冲激光沉积（electroncyclotronresonanceplasmaassistedpulsedlaserdeposition,ECR...

论文摘要具有宽禁带的直接带隙II-VI族半导体材料,在短波长光电器件中具有重要的应用。其一维纳米材料由于其结构及量子特性,近年来成为了该领域研究的热点。本论文以ZnSe为研究对...

论文摘要随着传统能源储量的日益枯竭以及全球环境的不断恶化,新能源的开发以及利用工作正在逐渐为人们所重视。在所有的新能源中,锂离子电池以其工作电压高、比能量大、安全性高、放电平稳...

论文摘要超导和铁磁是两种对抗性的长程序,二者之间的相互作用是当代凝聚态物理领域广为关注和富有挑战性的研究课题。由铜氧化物高温超导体（HTS）和庞磁电阻（CMR）锰氧化物铁磁体构...

论文摘要透明导电氧化物（TCOs）薄膜具有高的电导率和高的光透过率,因而成为了科研和工业上的重点研究课题。重点体现在TCOs作为透明导电电极在光电子太阳能,平板显示,有机发光二...

论文摘要ZnO是宽禁带直接带隙半导体材料,禁带宽度达3.37eV,ZnO的激子束缚能为60MeV,高于GaN材料的21MeV,更易于实现室温紫外受激发射。而且,ZnO易于找到晶...

论文摘要金属氧化物半导体因其具有优良的电、磁、光学等性能，被认为是可以拓展硅基器件功能的材料。其中ZnO是近十几年来非常热门的光电材料，而基于ZnO的异质结器件在光电探测、电致...

论文摘要本论文使用KrF准分子激光器（波长为248nm，频率为5Hz）作为光源，以Ta掺杂TiO2为靶材，在石英玻璃衬底上制备了Ta掺杂TiO2薄膜，在基底温度为300℃条件下...

论文摘要具有大的光学非线性的薄膜由于在光信息存储、光限幅、全光开关等方面有着广泛的应用前景而吸引了众多研究者的兴趣。金属氧化物由于具有优良的光、电、磁等性能,以及大的光学非线性...

论文摘要鉴于在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备纯钙钛矿相Pb（Mg1/3Nb2/3O3）-PbTiO3（PMN-PT）薄膜是制约其应用的主要瓶颈,本文着重研究了TiO2种子...

论文摘要ZnO是一种重要的宽带隙半导体材料,与GaN的带隙宽度基本上相同,是制备紫外半导体发光器件和半导体激光器的理想材料。与GaN相比,ZnO不仅具有生长温度低、无毒、原料成...