• 稀磁锗(Ge)量子结构制备及其特性研究

    稀磁锗(Ge)量子结构制备及其特性研究

    论文摘要稀磁性半导体是指:带有磁性的过渡金属或稀土金属离子低浓度掺杂,替代半导体中非磁性阳离子后形成的一类带磁性半导体材料。这类材料的器件会有更小器件尺寸、更快运算速度、更低功...
  • 过渡元素掺杂ZnO稀磁半导体的制备及性质研究

    过渡元素掺杂ZnO稀磁半导体的制备及性质研究

    论文摘要稀磁半导体是指非磁性半导体基体(例如ZnO,TiO2,SnO2,In2O3等)的部分离子被过渡族金属离子替代,并具有磁性的半导体。在这些非磁性基体中,由于ZnO具有宽能...
  • V掺杂ZnO的第一性原理研究

    V掺杂ZnO的第一性原理研究

    论文摘要稀磁半导体能够同时利用电子的电荷和自旋来处理和存储信息,在磁学、光学、电学等领域具有广泛的应用前景。由于以ZnO为母体材料的稀磁半导体有可能实现较高的掺杂浓度和高于室温...
  • 非磁性元素掺杂稀磁半导体和复合软磁材料的研究

    非磁性元素掺杂稀磁半导体和复合软磁材料的研究

    论文摘要最近,对非磁性元素掺杂稀磁半导体的研究逐渐引起人们的关注,从而避免了稀土元素或过渡元素作为掺杂的稀磁半导体磁性来源的问题。在本论文中,我们制备非磁性元素(K,Mg,Y)...
  • ZnO和ZnS基半金属铁磁体的第一性原理研究

    ZnO和ZnS基半金属铁磁体的第一性原理研究

    论文摘要本文利用基于密度泛函理论(DFT)的全势线性缀加平面波(FPLAPW)方法对本征非磁性元素碳掺杂的闪锌矿结构的氧化锌和钛掺杂的硫化锌的电子结构和磁性质进行了研究。我们发...
  • Mn、Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的制备及物性研究

    Mn、Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的制备及物性研究

    论文摘要信息时代的到来,对信息的处理、传输和存储的一体化提出了更高的要求,人们期望得到稀磁半导体为代表的自旋电子器件以满足要求。SiC稀磁半导体既具有优良的半导体性能又有磁性,...
  • ZnO基稀磁半导体的制备与性能研究

    ZnO基稀磁半导体的制备与性能研究

    论文摘要随着现今集成电路器件的尺寸减小,电子的各种量子效应将会越来越突出,其中,电子的自旋特性将会占据极为重要的地位。在自旋电子学中,自旋极化电流的有效注入是自旋电子器件进入实...
  • 稀磁半导体中磁光效应的应用研究

    稀磁半导体中磁光效应的应用研究

    论文摘要近几十年来,随着以磁性存储技术为代表的自旋电子学在新兴高科技领域获得日益广泛的应用,以磁光效应为原理的各种磁光器件和磁光测量技术也在科研的基础和应用研究中显示了其独特的...
  • Mn掺杂纳米ZnO稀磁半导体的磁性研究

    Mn掺杂纳米ZnO稀磁半导体的磁性研究

    论文摘要ZnO基稀磁半导体作为新一代自旋电子器件的制备以及研究探索半导体器件中电荷的自旋的基础材料,对其铁磁性的观测已经极大地引起了人们对自旋电子学的兴趣。自旋电子学为探索半导...
  • 纳米晶体的电子结构与磁性的第一性原理研究

    纳米晶体的电子结构与磁性的第一性原理研究

    论文摘要自旋电子学是一个新的领域,使得人们可以将半导体的电子,光学和磁学性质结合起来利用,而这些结合在原来的物理学中是不可能的,利用这些半导体的自旋特性(电子和空穴)可以实现一...
  • 几种半导体材料的电子结构及光催化等性质的理论研究

    几种半导体材料的电子结构及光催化等性质的理论研究

    论文摘要近年来,宽带隙金属氧化物半导体(MOS)在很多研究领域都受到了广泛的关注,包括光催化,自旋电子学(稀磁半导体)以及气体传感器等。钛酸锶(SrTiO3)是一种具有钙钛矿结...
  • 稀磁半导体模型的量子蒙特卡洛研究

    稀磁半导体模型的量子蒙特卡洛研究

    论文摘要稀磁半导体(DMG)兼具半导体和磁性材料的性质,使同时利用半导体中的电子电荷与电子自旋成可能,为开辟半导体技术新领域以及制备新型电子器件提供了条件。尽管目前对于DMS材...
  • Co掺杂ZnO纳米粉体材料的制备与研究

    Co掺杂ZnO纳米粉体材料的制备与研究

    论文摘要在科技不断进步和集成电路飞速发展的今天,各种各样的电子设备对半导体材料性能的要求不断提高。稀磁半导体材料具有磁光、磁电、磁输运等各种新颖的特性,使其在航空、航天等高科技...
  • 氧化锌纳米结构的制备及光学、磁学、光催化性质研究

    氧化锌纳米结构的制备及光学、磁学、光催化性质研究

    论文摘要氧化锌(ZnO)是一种重要的直接带隙半导体材料,禁带宽度3.37eV激子束缚能60meV。由于其宽的带隙、高的激子束缚能、优良的压电性质、大的比表面积和作为半导体的特点...
  • 铬掺杂氮化铝薄膜的结构与磁性研究

    铬掺杂氮化铝薄膜的结构与磁性研究

    论文摘要Cr掺杂AlN是一种理论预测的高温稀磁材料,在实验上对其结构与磁性进行系统研究有助于探讨稀磁材料的磁性起源机理,也可以掌握控制其磁性的制备工艺。本文采用直流反应磁控溅射...
  • Si基稀磁半导体的X射线吸收谱学研究

    Si基稀磁半导体的X射线吸收谱学研究

    论文摘要本论文主要利用同步辐射X射线吸收精细结构谱学(XAFS)技术,结合X射线衍射(XRD)和拉曼光谱等实验方法联合研究了磁控溅射共溅射方法和分子束外延方法制备的Si基稀磁半...
  • 钙、钛和碳掺杂的稀磁半导体及双核锰分子磁体性质的研究

    钙、钛和碳掺杂的稀磁半导体及双核锰分子磁体性质的研究

    论文摘要本文利用基于密度泛函理论的全势线性化缀加平面波方法(FP-LAPW),研究了本征非磁性元素钙掺杂氮化镓、钛掺杂氮化铝和碳掺杂硫化锌的电子结构和性质,及双核锰分子磁体Mn...
  • Mn掺杂Ⅳ族稀磁半导体的X射线吸收谱学研究

    Mn掺杂Ⅳ族稀磁半导体的X射线吸收谱学研究

    论文摘要本论文主要利用同步辐射X射线吸收精细结构谱学(XAFS)技术,结合X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱等实验方法联合研究了磁控溅射共溅射方法制备的Mn...
  • 材料新颖磁机制和电子结构的第一性原理研究

    材料新颖磁机制和电子结构的第一性原理研究

    论文摘要自旋电子学的应用需要高效率的自旋极化电子(自旋电流)源,像半金属CrO2要在液氦温度下才可以产生96%的自旋极化,基于自旋霍尔效应的电流在杂质散射,通过自旋光电效应注入...
  • 溶胶凝胶法制备In2O3基稀释磁性半导体及其性质的研究

    溶胶凝胶法制备In2O3基稀释磁性半导体及其性质的研究

    论文摘要在半导体中引入磁性金属元素而形成的稀磁半导体材料因其能将自旋和电荷两个自由度集于一身,已经成为最近几年来凝聚态物理和材料科学领域中最前沿的研究对象。其中以在ZnO、Ti...