• 自旋电子学材料的第一性原理研究

    自旋电子学材料的第一性原理研究

    论文摘要量子力学告诉我们,电子具有电荷和自旋双重属性,但过去的研究主要关注了电子的电荷属性,发展了传统的半导体学,人们忽视了电子的自旋属性。近二十年来,人们越来越关注电子的自旋...
  • Mn掺杂SnO2中铁磁耦合机理研究

    Mn掺杂SnO2中铁磁耦合机理研究

    论文摘要稀磁半导体由于在自旋电子学领域具有潜在的应用价值,受到人们广泛地关注。而稀磁半导体中铁磁性的来源一直是困扰人们的问题,其中晶体缺陷及载流子是影响稀磁半导体铁磁性的两个主...
  • 多晶Ti1–xMxO2–δ(M=Fe,Cr)薄膜的结构、光学和磁学性质

    多晶Ti1–xMxO2–δ(M=Fe,Cr)薄膜的结构、光学和磁学性质

    论文摘要宽禁带半导体TiO2在光学薄膜、光催化剂和稀磁半导体等领域都具有广泛的应用前景。过渡族金属掺杂能够有效地改善TiO2的微观结构和性能,是近年来凝聚态物理和材料科学领域的...
  • 稀土-IV-VI族稀磁半导体材料的合成与La-Cu-Sn合金相图研究

    稀土-IV-VI族稀磁半导体材料的合成与La-Cu-Sn合金相图研究

    论文摘要稀磁半导体是利用磁性离子替代化合物半导体中的部分非磁性阳离子而形成的新型半导体材料。该类半导体中的载流子和局域磁矩之间存在有强烈的自旋-自旋交换相互作用,改变了能带结构...
  • 基于ECR-PEMOCVD技术的GaMnN薄膜的制备及其表征

    基于ECR-PEMOCVD技术的GaMnN薄膜的制备及其表征

    论文摘要Dietl等人于2000年在理论上预测GaMnN的居里温度要高于室温,而且本底材料氮化镓(GaN)可以在高温、大功率光电器件领域得到广泛应用,而成为最有前景的稀磁半导体...
  • 锌基和钼基稀磁半导体化合物的制备与表征

    锌基和钼基稀磁半导体化合物的制备与表征

    论文摘要本文采用溶胶-凝胶法在ZnO半导体中引入过渡金属元素Co和Mo,对样品的结构及磁化行为进行初步研究;还对样品Mo1-xCoxO2的结构及磁化行为进行初步研究。研究内容如...
  • ZnO基稀磁半导体薄膜制备及铁磁特性研究

    ZnO基稀磁半导体薄膜制备及铁磁特性研究

    论文摘要本文采用脉冲激光沉积法(PLD)制备了晶态ZnO薄膜,研究了衬底温度、氧气压强和衬底材料对ZnO薄膜结构特性的影响,优化了工艺参数。在此基础上,制备了过渡金属Ni、Mn...
  • Fe、Ni掺杂ZnO基稀磁半导体的研究

    Fe、Ni掺杂ZnO基稀磁半导体的研究

    论文摘要本文采用水热法,以3mol/LKOH作为矿化剂,填充度为35%,温度为430℃,在前驱物(Zn(OH)2或ZnO)中分别添加一定量的NiCl2·6H2O,FeSO4·7...
  • 钴掺杂对氧化锌晶体形态及磁学性质的影响

    钴掺杂对氧化锌晶体形态及磁学性质的影响

    论文摘要本文采用水热法对ZnO晶体进行了稀磁性掺杂,其方法是在Zn(OH)2或ZnO前驱物中掺入一定量的过渡族金属氯化物,在一定的矿化剂条件下,反应温度430℃,恒温24小时,...
  • Co掺杂ZnO纳米晶体的制备及物性研究

    Co掺杂ZnO纳米晶体的制备及物性研究

    论文摘要稀磁半导体材料,由于其在自旋电子器件上的潜在应用价值,在最近几年里引起了人们广泛的兴趣。为了能实际应用,必须要获得居里温度在室温以上的铁磁性稀磁半导体。因为ZnO是宽禁...
  • 机械合金化制备Fe掺杂氧化物稀磁半导体

    机械合金化制备Fe掺杂氧化物稀磁半导体

    论文摘要由于在自旋和微电子器件中的潜在应用,稀磁半导体成为材料学研究的热点。而自从在Co掺杂TiO2中发现了室温铁磁性后,过渡族金属元素掺杂氧化物稀磁半导体受到极大的关注。然而...
  • ZnO基稀磁半导体单晶薄膜的分子束外延生长以及性能研究

    ZnO基稀磁半导体单晶薄膜的分子束外延生长以及性能研究

    论文摘要目前作为现代信息技术基石的半导体微电子技术主要利用电子的电荷自由度去存储和处理信息,随着集成化程度的提高和器件尺寸的减小目前的电子产业会由于进入原子尺度而到达它发展的极...
  • Ⅱ-Ⅵ族纳米结构半导体的X射线吸收谱学研究

    Ⅱ-Ⅵ族纳米结构半导体的X射线吸收谱学研究

    论文摘要本论文主要利用同步辐射X射线吸收精细结构(XAFS),结合透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)等实验方法研究三种纳米体系:(1)具有可控光电性能的Ⅱ-Ⅵ族CdSe半...
  • TiO2/SnO2基稀磁半导体及铁氧体基复合材料磁性和交换偏置效应

    TiO2/SnO2基稀磁半导体及铁氧体基复合材料磁性和交换偏置效应

    论文摘要稀稀稀稀稀(DMS)和受限稀系统中稀耦基和和的研究是当前自旋电子学领域的前沿课题。其中,对铁材材稀稀稀稀稀以及新型铁材材受限稀系统的稀磁和和和和和和和的研究显得尤为重要...
  • 掺杂AlN的理论与实验研究

    掺杂AlN的理论与实验研究

    论文摘要氮化铝(AlN)是直接带隙宽禁带(~6.2eV)Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,在短波长光电子器件领域具有重要应用价值。但是,实现AlN材料在光电器件上的广泛应用还面临重大挑战—难...
  • Cd1-xMnxTe的晶体生长、性能表征及In掺杂研究

    Cd1-xMnxTe的晶体生长、性能表征及In掺杂研究

    论文摘要Cd1-xMnxTe晶体材料是一种稀释磁性半导体材料(DilutedMagneticSemiconductors,简称DMS)。它是由于磁性过渡族金属离子Mn2+部分取...
  • ZnO基稀磁半导体纳米纤维的制备及物性研究

    ZnO基稀磁半导体纳米纤维的制备及物性研究

    论文摘要氧化锌(ZnO)是具有高激子束缚能(60meV)的宽带隙半导体(室温下约3.37eV)。由于其特殊的压电、磁电、电光、声光等物性,而备受关注。最近几年来,稀磁半导体材料...
  • ZnO稀磁半导体的制备和磁、光性能研究

    ZnO稀磁半导体的制备和磁、光性能研究

    论文摘要近年来,基于对电子自旋态的产生、输运、控制等的研究,由此而导致了一门新的学科——自旋电子学的诞生。由于自旋电子器件能同时利用电子的电荷属性和自旋属性,它有可能成为电子科...
  • Mn掺杂氧化锌薄膜的制备与光学特性的研究

    Mn掺杂氧化锌薄膜的制备与光学特性的研究

    论文摘要近年来,ZnO基稀磁半导体已成为当今材料研究领域中的热点,ZnMnO材料就是其中较为典型的一种。本文采用理论分析与物理实验相结合的研究方法,利用直流磁控溅射法在玻璃衬底...
  • Fe基宽带隙Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体及FeSe异质结构的生长及特性研究

    Fe基宽带隙Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体及FeSe异质结构的生长及特性研究

    论文摘要自旋电子学是凝聚态领域的一门新型交叉学科,具有丰富的物理现象和巨大应用价值。目前,有两类这种新型材料得到了广泛重视:一类是稀磁半导体(DMS)材料;另一类是铁磁/半导体...