磁控溅射论文

论文摘要磁控溅射是一个涉及粒子的碰撞、分解、激发、喇离及其在电磁场中非线性输运等的复杂过程,通过建立前驱物粒子光谱和薄膜成分之间的定量关系,把薄膜的生长过程与粒子的输运过程相联...

论文摘要碳化锗(GexC1-x)薄膜做为红外窗口材料的独特性能引起人们的关注。它具有低应力和低光吸收系数,与大多数红外基底材料结合良好,特别是其折射率可根据组分的不同在很宽的范...

论文摘要目前,镀锌板已经广泛用于汽车、家电和建筑等工业。热镀锌仍是钢材防蚀方法中应用最普遍的、最有效的工艺措施。但是最近几年,金属锌的价格成倍上涨,热镀锌板的锌镀层比较厚,使得...

论文摘要随着硬盘记录面密度的提高,现有的Co-Cr-Pt合金记录介质遇到了超顺磁效应的限制。Co-Pt合金具有很高的垂直磁晶各向异性,但其晶粒间较强的交换耦合作用,限制了其作为...

论文摘要磁控溅射镀膜是工业镀膜生产中最主要的技术之一,薄膜厚度均匀性是衡量薄膜质量和镀膜装置性能的一项重要指标。现今生产所用的磁控溅射镀膜技术,为力求好的膜厚均匀性,往往将磁控...

论文摘要目前应用最广泛的透明导电膜是铟锡氧化物薄膜(ITO),其制备技术是成熟的,但由于InSn等材料有自然储量少、制备工艺复杂、有毒、稳定性差等缺点。因此,急需一种替代产品来...

论文摘要本课题采用射频等离子体增强化学气相沉积法和射频磁控溅射两种沉积方法在聚碳酸酯（PC）片上沉积类金刚石碳膜（DLC）。利用X射线衍射（XRD）、激光拉曼光谱（Raman）...

论文摘要磁控溅射已成为工业镀膜生产中最重要的技术之一,尤其适合于大面积镀膜生产。磁场分布在整个溅射过程中起着至关重要的作用,其磁场强度的大小、分布以及由以上诸因素决定了等离子体...

论文摘要轻金属（Mg、Al、Ti）在航空航天、武器装备、生物医用等高端领域广为应用,但其摩擦系数较高、抗磨性能较差。本文以常规粗晶镁合金（AZ91D）、常规粗晶铝合金（2024...

论文摘要Cu-W薄膜具有高导热导电性及低的热膨胀系数等优点,广泛应用于微电子及电子器件领域。但铜和钨互不固溶、浸润性差,常规方法很难制得Cu-W固溶体。本实验采用双靶聚焦磁控溅...

论文摘要zno是n一IV宽禁带半导体材料，禁带宽度为3.37eV，属于六方纤锌矿结构，具有压电、热电、气敏和光电等多种性能，在很多领域都有广泛的应用。zno具有较高的激子结合能...

论文摘要滴状冷凝初始液滴形成机理一直是悬而未决的问题。从形成新相的热力学计算可知,初始液核的尺寸应该在纳米尺度,所以要彻底解决这个难题,必须在纳米尺度上对初始冷凝过程进行研究。...

论文摘要氧化锌（ZnO）是一种新型的宽禁带化合物半导体材料,具有直接带隙能带结构,室温禁带宽度为3.37eV,对应于近紫外光波段。另外,ZnO还具有60meV的高激子束缚能,其...

论文摘要应烧结碳化硅是一种综合性能优良的反射镜材料,它由两种硬度不同的材料组成,普通的机械加工方式不能或很难使其表面光洁度达到很高的水平。本研究采用在其表面沉积致密层的方法来提...

论文摘要非晶结构WO3薄膜具有优良的阴极电致变色特性,是最有发展前景的电致变色材料之一;NiOx薄膜为典型的阳极优质电致变色材料,是电致变色器件对电极层的首选材料;由WO3薄膜...

论文摘要在粉体颗粒表面镀薄膜可显著增强其应用功效。磁控溅射沉积作为一种高质量的镀膜方法,也逐渐被应用于粉体颗粒表面镀膜。本论文根据磁控溅射及粉体颗粒的特点,设计并研制了一套微颗...

论文摘要氮化铝（AlN）是直接带隙宽禁带（～6.2eV）Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,在短波长光电子器件领域具有重要应用价值。但是,实现AlN材料在光电器件上的广泛应用还面临重大挑战—难...

论文摘要随着紫外探测技术越来越广泛地被应用于众多领域,大大推动了宽禁带半导体的发展。ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体材料,在光电器件领域有着光明的应用前景,近年来已成为国际上半...

论文摘要纳米线及其阵列材料是纳米材料应用研究中的热点。基于纳米线阵列为基底的表面增强拉曼散射（SERS）和针尖增强拉曼散射（TERS）研究对于形成新的一维增强基底,丰富SERS...

论文摘要本文采用氨化磁控溅射Ga2O3/Ti和Ga2O3/TiO2薄膜的方法在硅衬底上合成了GaN纳米结构。通过研究不同生长条件对制备GaN纳米结构的影响,初步提出并探讨了此方...