![适用于日盲紫外探测器的高Al组分n型AlGaN的生长]()
论文摘要利用有机金属化学气相沉积（MOCVD）的方法,在高质量的铝氮（AlN）模板和铝氮/铝镓氮超晶格（AlN/AlGaNSLs）上,通过改变[TMA/（TMa+TMG）]的流...
![ZnO纳米线紫外探测器的制作及其性能的研究]()
论文摘要ZnO是一种六方结构的直接宽带隙半导体材料，在室温下它的禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，而且具有热稳定性高、对环境友好等优点，并且同其它材料相比，Zn...
![氮化镓基MIS结构紫外探测器研究]()
论文摘要紫外探测技术在民用和军事领域中应用极其广泛。在民用领域，紫外探测技术可以应用于诸如火焰探测、海上油监、生物医药分析、臭氧的监测、太阳照度监测、公共安全侦察等；在军事领域...
![ZnO基光电薄膜的物性研究及光电器件的设计与制备]()
论文摘要ZnO宽禁带半导体,由于在短波长光电子器件潜在的应用前景,近十余年,一直是国际光电子领域的前沿课题和研究热点之一。虽然在ZnO薄膜材料制备和器件方面取得了很大的进展,但...
![宽禁带半导体器件的研制及其测量技术]()
论文摘要本学位论文围绕由宽禁带半导体材料SiC和ZnO构成的紫外光电探测器的研制以及宽禁带半导体材料电阻率测量仪器的研制这两方面展开,详细介绍了宽禁带半导体材料ZnO和SiC的...
![GaN肖特基器件电学性质的模拟研究]()
论文摘要氮化镓(GaN)基宽禁带半导体材料是制备高温、高功率、高频电子器件以及发光管、紫外探测器等光电子器件的重要材料。GaN基发光管在节约能源方面有着巨大的应用前景,而使用G...
![ZnO紫外探测器的研究]()
论文摘要紫外光探测器无论军用还是民用上都有重要的应用价值,所以引起人们的极大关注。近年来随着材料制备技术的发展,半导体固态紫外探测器得到广泛应用。宽禁带半导体材料ZnO由于具有...
![AlGaN日盲紫外探测器材料生长及表征]()
论文摘要AlxGa1-xN半导体材料有着广泛的用途,其中之一是在紫外探测器制作中的应用。AlxGa1-xN的带隙从3.4eV到6.2eV,对应的波长范围从365nm到200nm...
![紫外光传感器用于电气设备局部放电检测的试验研究]()
论文摘要随着电力设备电压等级的提高,对绝缘结构及运行的可靠性提出更高的要求。绝缘中的某些薄弱部分在强电场作用下发生局部放电是高压设备绝缘中普遍存在的问题。局部放电包含着丰富的特...
![液结型纳米二氧化钛薄膜紫外探测器及其光电特性研究]()
论文摘要纳米TiO2薄膜具有制备工艺简单、物理和化学性质稳定、表面积大、光电活性高等诸多优点,是制造低成本、高灵敏度紫外探测器的理想材料。本论文针对纳米TiO2薄膜对紫外光具有...
![脉冲激光沉积法生长ZnMgO合金薄膜和Li-N共掺p型ZnO薄膜及紫外探测器的研制]()
论文摘要ZnO是一种直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,其晶体结构、晶格常数和禁带宽度都与GaN非常接近。ZnO最大的优势在于它的激子束缚能很大,约为60meV,是GaN激...
![新型TiO2紫外探测器的研制]()
论文摘要本论文的主要研究工作是以TiO2薄膜为基体材料的金属-半导体-金属（MSM）结构的光导型紫外探测器。首先,我们利用溶胶—凝胶法制备了纳米晶TiO2薄膜材料,通过XRD、...
