• WO3薄膜的制备及性能研究

    WO3薄膜的制备及性能研究

    论文摘要纳米三氧化钨是重要的半导体材料,在信息存储、变色窗、燃料电池、化学传感器等领域有着广泛的应用前景,成为目前最具开发潜力的材料之一。而特殊结构和形貌是影响材料性质的主要因...
  • 系列胆甾液晶聚合物的光学性能研究

    系列胆甾液晶聚合物的光学性能研究

    论文摘要手性侧链液晶高分子是目前液晶高分子研究领域的热点,其中的胆甾液晶高分子具有许多独特的性质,如选择反射、高旋光性、圆二色性和电光效应等,在光学、热控温材料等多方面有着广阔...
  • 镧铈在聚丙烯中的应用研究

    镧铈在聚丙烯中的应用研究

    论文摘要稀土配合物/聚合物复合材料是一类具有广泛应用前景的新兴无机/聚合物材料。由于稀土自身的具有独特的化学性质和物理性质,以及在光学领域取得的成就,受到人们越来越多的关注。本...
  • 一维ZnO纳米结构的制备、性能和器件研究

    一维ZnO纳米结构的制备、性能和器件研究

    论文摘要准一维纳米材料,包括纳米线/棒、纳米针、纳米带、纳米同轴电缆和纳米管等,近年来引起了极大的研究热潮。在这些材料中,氧化物半导体一维纳米材料又受到了特殊的关注,这不仅因为...
  • 光纤连接器端面研磨抛光机理与规律研究

    光纤连接器端面研磨抛光机理与规律研究

    论文摘要光纤连接器作为目前应用面最广、用量最大的光无源器件,其种类、结构形式十分丰富,随着光纤通讯对器件质量要求的迅速提高,目前普遍使用的制造工艺与技术都难以高水平适应,迫切需...
  • 植入复合纳米结构的光电性能研究

    植入复合纳米结构的光电性能研究

    论文摘要离子注入是制备纳米晶的一种行之有效的方法。植入金属纳米晶具有表面等离子共振吸收和非线性光学特性;具有一定取向的单畴铁磁纳米晶具有较大的矫顽力和高存储密度;氧化物纳米晶具...
  • 电子辅助化学气相沉积法(EACVD)制备纳米金刚石薄膜及其光电性能的研究

    电子辅助化学气相沉积法(EACVD)制备纳米金刚石薄膜及其光电性能的研究

    论文摘要本工作提出了采用正偏压,即EACVD方法,在α-SiC陶瓷和(100)Si晶片抛光衬底表面上沉积纳米金刚石薄膜。研究了气压、连续正偏压和正偏压增强成核对沉积金刚石薄膜的...
  • 利用rf-PECVD方法在不同基底上制备DLC膜的实验研究

    利用rf-PECVD方法在不同基底上制备DLC膜的实验研究

    论文摘要本文采用射频PECVD方法,以CH4和Ar为气源在不锈钢、模具钢Cr12钢、树脂材料PMMA等基底上制备出类金刚石(DLC)薄膜。使用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显...
  • 反应磁控溅射制备AlN薄膜及其发光性能研究

    反应磁控溅射制备AlN薄膜及其发光性能研究

    论文摘要氮化铝(AlN)薄膜优异的物理化学性能使得它在电子、光电子、声表面波等领域有着广阔的应用前景,因而受到了人们的广泛关注。本论文的目标是应用反应磁控溅射法制备AlN薄膜,...
  • 稀土掺杂ZnO-Al2O3-SiO2系透明玻璃陶瓷的制备与表征

    稀土掺杂ZnO-Al2O3-SiO2系透明玻璃陶瓷的制备与表征

    论文摘要本文综述了玻璃陶瓷的产生与发展过程。概述了玻璃陶瓷的组成、结构、合成方法、应用以及ZnO-Al2O3-SiO2(ZAS)透明玻璃陶瓷的发展前景。采用熔融和晶化技术制备出...
  • 退火条件对氧化钒薄膜光电特性影响的研究

    退火条件对氧化钒薄膜光电特性影响的研究

    论文摘要过渡金属钒可以和氧结合成多种价态的氧化物,各种钒的氧化物以其优良的性能成为国内外功能材料研究的热点,具有广阔的应用前景。本论文以高纯V2O5粉末(纯度≥99.99%)为...
  • Eu~(2+)激活碱土铝酸盐长余辉材料的燃烧法合成及其性能研究

    Eu~(2+)激活碱土铝酸盐长余辉材料的燃烧法合成及其性能研究

    论文摘要长余辉发光材料是指在阳光或紫外线的短时间照射后,在较长时间内仍能持续发光的材料。近年来,在紫-黄光范围内稀土离子Eu2+激活的碱土铝酸盐长余辉发光材料MAl2O4:Eu...
  • SiO2玻璃中半导体纳米晶的制备和辐照效应研究

    SiO2玻璃中半导体纳米晶的制备和辐照效应研究

    论文摘要半导体纳米材料具有优异的光电性能,在非线性光学器件、光电功能材料等方面具有极为广阔的应用前景。锗作为一种典型的半导体材料,对它的研究一直有着重要的应用背景。Ge-SiO...
  • ZnO薄膜生长行为和光学性能研究

    ZnO薄膜生长行为和光学性能研究

    论文摘要ZnO具有纤锌矿晶体结构,是一种新型的直接带隙宽带半导体,其禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,可以实现室温下的激子发射。ZnO薄膜可在低于600℃的温度下...
  • 离子辅助沉积(1-x)TiO2-xTa2O5薄膜的光学性能研究

    离子辅助沉积(1-x)TiO2-xTa2O5薄膜的光学性能研究

    论文摘要新的光学和光电子薄膜材料并不局限于自然界中已有的材料。由于各种材料的光、电、磁及化学性质各不相同,混合两种或更多膜料制备的薄膜可能改变单一组分薄膜的许多特性,如折射率、...
  • 双光子吸收功能材料的合成及性能研究

    双光子吸收功能材料的合成及性能研究

    论文摘要二苯乙烯类化合物因具有较大的电子离域、优良的光电性能,成为一类很好的非线性光学生色团,具有双光子吸收性能。本论文合成了七个新的二苯乙烯类小分子化合物和一类以T8H8为核...
  • FeS2薄膜制备及光电性能

    FeS2薄膜制备及光电性能

    论文摘要立方晶系的FeS2具有合适的禁带宽度,较高的光吸收系数,元素储量丰富,环境相容性好,制备成本较低,是一种较有研究价值的新型太阳能电池材料。本文在紧密跟踪国际研究进展的基...
  • 高铅碲渣中碲的提取新工艺及光谱选择性碲膜制备的研究

    高铅碲渣中碲的提取新工艺及光谱选择性碲膜制备的研究

    论文摘要我国大多数铜冶炼企业从处理铜阳极泥的副产品—铅碲渣中提取碲通常采用碱浸-硫化钠除杂-中和-电解工艺,该工艺的缺点是流程冗长、碲回收率低、产品质量不稳定和对原料的适应能力...
  • 有机小分子修饰碳纳米管及复合镀层的研究

    有机小分子修饰碳纳米管及复合镀层的研究

    论文摘要碳纳米管独特的结构和优异的性能,已引起人们利用它们制备纳米复合材料的极大兴趣。然而,要发挥碳纳米管改性复合材料的先进性,关键在于碳纳米管能否以纳米级水平分散于基体中并与...
  • 反应磁控溅射ZnO薄膜在Si基片上的生长行为

    反应磁控溅射ZnO薄膜在Si基片上的生长行为

    论文摘要ZnO是一种新型的直接带隙宽带半导体,室温禁带宽度约为3.37eV,同时在室温下具有较大的激子束缚能(60meV),可以实现室温紫外激光发射。作为新一代的宽带半导体材料...