• 深亚微米SRAM存储单元稳定性研究

    深亚微米SRAM存储单元稳定性研究

    论文摘要在深亚微米工艺条件下,芯片内部可变性日益增加,电源电压VDD日渐降低,使得SRAM存储单元稳定性受到一定影响,所以我们需要一种简单高效的稳定性判断方法来提高设计时间。并...