氮化镓论文

论文摘要ZnO因为具有较大的激子束缚能（大约60meV）,使其在紫外发光二极管和激光二极管方面具有了很好的应用前景。但是由于p型ZnO的不稳定性,导致ZnO的同质结很难得到。虽...

论文摘要氮化镓（GaN）是宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的代表,其禁带宽度为Eg=3.4eV,具有高饱和电子漂移速度、高热导率、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高硬度等特性,是制作高效...

论文摘要以GaN为代表的第三代（宽禁带）半导体材料因其禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、耐腐蚀和抗辐照等优势,特别是GaN异质结构具有高密度和高迁移率的二维电子气,被誉为是研制...

论文摘要近年来,随着半导体技术的飞快发展,以及材料生长技术的突破,氮化镓（GaN）作为第三代半导体,已逐渐显示出其优势,二维电子气密度大和饱和电子迁移率高等,基于氮化镓（GaN...

论文摘要氮化镓(GaN)是近年来发展最为迅速的第三代半导体材料之一。由于GaN的化学性质稳定,耐高温,直接带隙宽度大,高频大功率等特点,能够很好的弥补Si和AsGa等半导体材料...

论文摘要近年来,作为第三代半导体的代表,氮化镓（GaN）因广阔的应用前景而备受关注。商业化GaN基蓝光发光二极管（LED）和激光器（LD）的出现,吸引了更多科研机构和企业转向G...

论文摘要紫外探测技术在民用和军事领域中应用极其广泛。在民用领域，紫外探测技术可以应用于诸如火焰探测、海上油监、生物医药分析、臭氧的监测、太阳照度监测、公共安全侦察等；在军事领域...

论文摘要发光二极管(LED)固体照明因其节能环保的优势而逐渐替代传统光源,在全球激起一场照明革命。GaN基LED不仅广泛应用于户外显示屏、液晶显示器背光源、城市景观和交通信号灯...

论文摘要随着商业化氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）、激光器（LD）和高电子迁移率晶体管（HEMT）的相继推出,性能卓越的GaN基器件引起了广泛的关注。然而,过高的成本和大...

论文摘要本文主要介绍了GaN基蓝光LED具体生长方法,介绍各参数对产品性能的影响,并介绍了一些提高产品性能的手段：（1）、首先介绍了GaN的基本性质和生长过程中的主要影响参数,...

论文摘要氮化镓基发光二极管（LightEmittingDiode,LED）在最近二十年得到了广泛的关注,在许多领域具有非常诱人的应用前景,例如固态照明,显示器背光源和交通信号灯...

论文摘要以氮化镓（GaN）为代表的Ⅲ族氮化物半导体材料,由于其在光电子和微电子器件上的应用前景,受到了人们极大的关注。2002年的研究表明,氮化铟（InN）的禁带宽度为0.7e...

论文摘要GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）具有击穿电压高、功率密度高、输出功率高、工作效率高、工作频率高、瞬时带宽宽、适合在高温环境下工作和抗辐射能力强等优点,其性能远远优于...

论文摘要发光二极管（LED）是一种电致发光器件,自上世纪60年代被发明以来,尤其是90年代以后得到了迅猛的发展。随着相关的新结构、新材料及新工艺的不断发展和更新,它的性能也得到...

论文摘要本论探索了Ⅲ-Ⅴ族磷化物和氮化物发光纳米材料形貌控制合成的新方法和新路线,并对同种物质不同形貌的产物进行了详细的光学性质研究。在乙醇胺-水的二元溶剂中利用奥氏熟化和自模...

论文摘要氮化镓（GaN）是一种优良的直接宽带隙Ⅲ-V族化合物半导体材料,是当前世界上最先进的半导体材料之一。室温下氮化镓的禁带宽度为3.39eV,具有高熔点、高临界击穿电场和高...

论文摘要氮化镓（GaN）属于Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体,具有纤锌矿晶体结构,室温下的禁带宽度为3.39eV,是新一代宽禁带半导体材料,具有广泛的应用。首先,GaN可制成高效蓝、绿光...

论文摘要金属有机物化学气相淀积(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,简称MOCVD)自20世纪60年代首次提出以来,经过70年代至80年代的...

论文摘要宽禁带半导体材料GaN及其三元合金AlGaN,由于其禁带宽度大、热稳定性和化学稳定性好,在光电子器件,尤其紫外探测器领域有着重要的应用价值。其中探测波段在240-280...

论文摘要本文的主要内容是利用脉冲激光烧蚀（pulsedlaserablation,PLA）产生的激光等离子体和电子回旋共振（electroncyclotronresonance...