氮化镓论文

论文摘要紫外光电探测器可用于科研、军事、航空航天、环保和其它许多领域中,由GaN基材料制备的MSM（金属-半导体-金属）光电探测器是人们研究的热门课题之一。本论文采用金属有机物...

论文摘要宽带隙的GaN基Ⅲ族氮化物,在高效光电子器件制作中有着广泛的应用,是半导体材料研究领域的前沿课题之一。本文利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长技术,在经过腐蚀处理...

论文摘要发光二极管(LED)是一种广泛应用于光电子领域的低成本长寿命固态光源发展半导体照明,节能长效,保护环境,其意义重大而深远。要使半导体照明真正走向市场,就必须探索出一条路...

论文摘要Chin等人以载流子浓度和补偿度为参量，运用变分原理从理论上计算得到了室温电子迁移率的变化图线，他们的研究成果，被大量文献引用来评估GaN材料的补偿度。然而，根据他们的...

论文摘要高电子迁移率晶体管被公认为微波/毫米波器件和电路领域中最有竞争力的三端器件,它不仅具有优异的低噪声特性,而且具有出色的功率性能,将彻底改变以相控雷达为代表的军用电子装备...

论文摘要随着微波系统的发展，对固态功率放大器件的性能要求越来越高，现有的GaAs功率器件已经越来越不能满足系统的要求。作为下一代固态微波功率器件，AlGaN／GaNHEMT具有...

论文摘要六方氮化硼是一种耐高温、耐腐蚀、高导热率、高绝缘性以及润滑性能优良的材料，被广泛地应用于石油、化工、机械、电子、电力、纺织、核工业、航天等部门。立方氮化硼更是一种集多种...

论文摘要近年来，GaN基半导体材料和器件取得了很大的进展，但是由于缺乏合适的衬底，限制了器件性能的进一步提高。氢化物气相外延（HVPE）技术由于生长速率高，能提供生长GaN自支...

论文摘要近年来，以ZnO和GaN为代表的第三代半导体材料由于其独特的物理特性引起了科研人员极大的研究兴趣，这些材料中的点缺陷是影响其性能的重要因素，因此准确鉴别和量化材料中的点...

论文摘要氮化镓（GaN）是近十几年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一,其化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝光、...

论文摘要AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管（HEMT）在高温大功率方面有非常好的应用前景。但是,AlGaN/GaNHEMT的工艺技术还不成熟,干法刻蚀、肖特基接触、欧姆...

论文摘要AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）由于具有大的直接带隙能、高的饱和漂移速度、大的导带不连续性、良好的热稳定性以及强的自发和压电极化效应,从而在高频、高温和...

论文摘要GaN和Ⅲ族氮化物材料是近年来光电子领域的研究热点,GaN材料生长方面有了重大突破,而在基于GaN材料的高功率LED、脉冲连续LD以及盲阳紫外探测器方面都取得了显著成绩...

论文摘要GaN基MISFET是极有应用前景的半导体器件，在其目前的研究中，多采用传统的介质材料，如二氧化硅、氮化硅等。这些材料的介电常数比较低，使得GaN基MISFET器件的工...

本文主要研究内容作者李崔泽南（2019）在《GaN催化CO2氧化丙烷脱氢反应性能及动力学研究》一文中研究指出：CO2氧化丙烷脱氢与直接脱氢和O2氧化脱氢技术相比,具有反应温度相...

本文主要研究内容作者孙秀秀（2019）在《HVPE生长GaN的气相反应研究及反应器设计优化》一文中研究指出：GaN是一种重要的宽禁带半导体材料,广泛应用于半导体照明和大功率电力...

本文主要研究内容作者班文君,朱冰（2019）在《氮化镓/掺偶氮苯聚合物光栅耦合器特性研究》一文中研究指出：提出一种氮化镓与掺偶氮苯聚合物复合材料集成光波导光栅耦合器,并通过仿真...