薄膜论文

论文摘要ZnO是一种新型的直接带隙宽带半导体，室温禁带宽度约为3.37eV，同时在室温下具有较大的激子束缚能（60meV），可以实现室温紫外激光发射。作为新一代的宽带半导体材料...

论文摘要在平板玻璃衬底上开展大面积、低成本的透明导电薄膜和太阳能薄膜材料的制备技术研究，对开发利用太阳能、降低成本和推动实用化进程具有重要的意义。该项目的研究对发展新的环境协调...

论文摘要多铁材料又被称为磁电材料,是指在一定的温度范围内表现出共存的铁电有序和磁性有序的材料,该材料被认为同时在铁电和磁性器件方面具有重要的应用前景。因为磁性和铁电性的共存又使...

论文摘要作为应用最为广泛的n型透明导电氧化物（TCOs）——锡掺杂氧化铟（ITO）一直是材料和电子领域研究的热点之一。由于金属铟属于稀缺资源,因此节约铟用量是一项重要的课题。为...

论文摘要MEMS技术的发展为基于压电PZT薄膜和硅微加工技术的微传感器和微执行器研究带来了新的机遇。压电式微力传感器的低能耗、高灵敏度、易于与压电微执行器集成等优点使其具有良好...

论文摘要本论文研究的是类钙钛矿材料CaCu3Ti4O12（CCTO）。此材料在低频下有巨介电常数（-10,000）,且在相当宽的温区（100-400K）内介电常数保持不变,是一...

论文摘要自1996年起,ZrW2O8因其具有负热膨胀（NTE）效应而成为非常重要的功能材料之一。特别地,ZrW2O8具有非常大的负的热膨胀系数(-9×10-6/℃);其NTE效...

论文摘要TiN是第一个产业化并广泛应用的硬质薄膜材料,有关它的制备研究一直十分活跃,已成为国内外硬质涂层研究的热点。由于其具有较高的硬度和耐磨性能、独特的金黄色、低电阻率以及阻...

论文摘要以十甲基环五硅氧烷（D5）为反应源、采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）方法制备了介电常数较低、电学性能和热稳定性优良的SiCOH薄膜。通过反应源和薄...

论文摘要本论文研究了脉冲栅控行波管中,C、Hf薄膜对抑制栅极电子发射所起的作用,讨论了两种薄膜的工作机理。实验中,分别利用双离子束溅射和射频磁控溅射技术在Mo基底上制备了C膜和...

论文摘要本论文工作主要是采用一种新的自行设计的磁增强弧光等离子体化学气相沉积法（Magnetronenhancedarcplasmachemicalvapordepositio...

论文摘要氟化非晶碳薄膜是用于超大规模集成电路的一种重要的低介电常数材料,作为电介质薄膜其热稳定温度必须达到平面工艺的温度要求（400℃）,氟化非晶碳薄膜的低介电常数和高热稳定性...

论文摘要微尺度力学和MEMS系统中的低维材料性能研究是当今国际多学科交叉研究的热门课题。涉及力学问题有薄膜材料在残余应力和外载荷作用下的变形、应力、断裂和屈曲等。薄膜材料的力学...

论文摘要本文主要研究了定向沉积技术制备NdFeB/X/Ti薄膜的制备工艺、表面形态,以及磁性能。为获得良好磁性能的NdFeB/X/Ti薄膜,采用了定向沉积技术,使薄膜表面形成定...

论文摘要氧化锌是一种重要的功能材料和新型的II-VI族宽禁带隙（3.37eV）半导体材料。具有较大的激子束缚能（60meV）,可实现室温下的紫外受激辐射。因此,氧化锌是一种很有...

论文摘要本文利用电弧离子镀成功制备TiO2纳米薄膜材料,并对其相关特性进行了研究。通过原子力显微镜（AFM）和X射线衍射仪（XRD）检测TiO2薄膜表面形貌的分布、大小、形状及...

论文摘要BaxSr1-xTiO3（BST）材料作为纯的BaTiO3和SrTiO3的复合物,其性质是由两种材料综合决定。当量子顺电体SrTiO3中掺入适当浓度的铁电体BaTiO3...

论文摘要本论文的主要研究工作是以TiO2薄膜为基体材料的金属-半导体-金属（MSM）结构的光导型紫外探测器。首先,我们利用溶胶—凝胶法制备了纳米晶TiO2薄膜材料,通过XRD、...

论文摘要SOI（Silicon-on-Insulator）材料,即绝缘体上的硅材料,被国际上公认为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它能突破体硅材料的诸多限制,在航天领域、光...

论文摘要FeS2的组元元素储量丰富、无毒,而且具有合适的禁带宽度（大约为0.95eV）和很高的光吸收系数(α≥5×105cm-1,λ≤700nm),是一种很有研究价值的薄膜太阳...