![TSV技术中关键工艺基础研究]()
论文摘要集成电路随着线宽的减少,互连延迟超过门延迟,限制了集成度增加。基于硅通孔(TSV)的垂直铜互连不仅可以实现高密度集成,而且其短距离互连的优势可以降低互连延迟。TSV技术...
![柔性衬底薄膜光伏电池相关材料制备及性能]()
论文摘要能源危机和环境污染问题促进了太阳能光伏产业的快速发展,而降低成本、提高光电转化效率则是加快太阳能电池推广应用的重要手段。微晶硅薄膜因其低成本、高效率、无衰减等优点已经成...
![YBCO涂层导体用YSZ阻挡层的快速制备研究]()
论文摘要钇系第二代高温超导带材因具有临界电流密度高、价格低廉、不可逆场高等诸多优点，所以备受各国科学家关注，成为近年来尖端科学领域的研究热点。随着YBCO长带材逐渐产业化，对其...
![柔性非晶硅薄膜太阳能电池关键制备技术研究]()
论文摘要柔性非晶硅薄膜太阳能电池以其可卷曲等独特的优点而成为当前光伏领域中研究的热点。但是柔性衬底一般透光性差,因而柔性衬底的采用也给非晶硅薄膜太阳能电池的制备工艺带来了新的问...
![MOCVD TiN阻挡层薄膜工艺性能研究]()
论文摘要随着集成电路器件尺寸的缩小,晶体管的速度越来越快,互连线的寄生电容和分布电阻所导致的传输时延逐渐增大。为了降低互连时延,金属接触和通孔生产工艺经历了巨大变革。氮化钛作为...
![铜互连中PVD Ta/TaN阻挡层的性能改进与缺陷控制研究]()
论文摘要随着集成电路的发展,与低介电系数介质相结合的铜互连技术逐步代替铝互连。然而铜有易氧化、易扩散的缺点,很容易扩散入介质影响晶体管效能。这就要求有一种材料能把铜保护起来,和...
