主刻蚀论文

氮化钽金属薄膜干法刻蚀的研究
论文摘要氮化钽薄膜在微电子工艺中的应用比较广泛：在标准CMOS后道的铜互连技术中,作为阻挡层被应用；由于氮化钽与高K介质的良好兼容性,在45nm以下CMOS工艺中,正在被开发作...
0.18微米侧壁（Spacer）干法刻蚀工艺的开发与优化
论文摘要本论文开发并优化了0.18微米技术侧壁（Spacer）的干法刻蚀工艺,通过利用公司现有设备,改进原工艺不足,开发出满足产品要求的刻蚀工艺。本论文根据0.18微米技术侧壁...