• 基于Si衬底的石墨烯在太赫兹波段吸收的研究

    基于Si衬底的石墨烯在太赫兹波段吸收的研究

    论文摘要石墨烯是由单层碳原子组成的具有蜂窝状结构的零带隙二维晶体。作为一种新型材料石墨烯具有良好的电学和光学特性,使它在微集成电子学、储能材料、复合材料等领域存在广阔的应用前景...
  • Fe、Cu共掺杂In2O3稀释磁性半导体的结构和室温铁磁性研究

    Fe、Cu共掺杂In2O3稀释磁性半导体的结构和室温铁磁性研究

    论文摘要氧化铟(In2O3)是一种具有立方铁锰矿型结构宽带隙(3.75eV)半导体。通过引入氧空位和过渡金属元素掺杂,In2O3具有良好的室温铁磁性、导电性、透光性、气敏性且易...
  • 多晶GaN薄膜的制备与特性研究

    多晶GaN薄膜的制备与特性研究

    论文摘要本文通过MOCVD方法制备了多晶GaN薄膜,并且得出了我们MOCVD系统生长多晶GaN薄膜的优化生长条件,较系统地分析了不同生长条件与退火工艺对样品结构组分,表面形貌,...
  • 以半导体光放大器为核心的系统仿真软件设计

    以半导体光放大器为核心的系统仿真软件设计

    论文摘要全光通信网络是高速大容量通信网络发展的必然趋势,半导体光放大器(SOA)是全光网络中的关键单元器件,SOA中的非线性效应可用来实现全光波长转换、光开关、全光逻辑、全光3...
  • 氮化镓外延膜红外椭圆偏振光谱的研究

    氮化镓外延膜红外椭圆偏振光谱的研究

    论文摘要GaN和Ⅲ族氮化物材料是近年来光电子领域的研究热点,GaN材料生长方面有了重大突破,而在基于GaN材料的高功率LED、脉冲连续LD以及盲阳紫外探测器方面都取得了显著成绩...