稀释磁性半导体论文

Fe、Cu共掺杂In2O3稀释磁性半导体的结构和室温铁磁性研究
论文摘要氧化铟（In2O3）是一种具有立方铁锰矿型结构宽带隙（3.75eV）半导体。通过引入氧空位和过渡金属元素掺杂,In2O3具有良好的室温铁磁性、导电性、透光性、气敏性且易...