型沟槽论文

利用水热法在改型的硅衬底上制备氧化锌微纳米中空结构膜的研究
论文摘要氧化锌（ZnO）作为一种典型的Ⅱ-Ⅵ族直接带系宽禁带半导体材料,是近年来研究最为广泛的半导体材料之一。高达到3.4eV的禁带宽度,使其具有优异的短波长发光能力；高达60...