![全功能相变存储器芯片设计及后集成工艺研究]()
论文摘要相变存储器以其读写速度快、功耗低、存储密度高、抗疲劳特性好、与CMOS工艺兼容、抗辐射等特点成为下一代非易失性存储器的有力竞争者。本文介绍了一款全功能相变存储器芯片的设...
![基于PCIE接口混合存储系统的设计与实现]()
论文摘要FLASH存储介质的出现已有20多年的历史,随着设计和的工艺改进,以FLASH为存储介质的存储器得到了广泛的应用。近几年,FLASH存储器已经从传统的嵌入式领域扩大到了...
![层次式并行混合存储系统关键技术研究]()
论文摘要高性能计算已跨越PetaFlops时代向ExaFlops时代飞速发展,对海量存储系统的I/O性能、可扩展性、可靠性和易管理性提出了严峻挑战。现有的数据存储方式与数据管理...
![相变存储器三维电热模拟的有限元程序设计]()
论文摘要相变存储器作为最有可能成为下一代存储器的存储器之一，受到越来越多的关注。相变存储器相对于传统的存储器有速度快、非易失性和工艺简单等优势。论文旨在设计对相变存储器进行三维...
![相变存储器低功耗优化研究及其在多态存储中的应用]()
论文摘要相变存储器(PCM)利用的是材料晶态时低阻与非晶态的高阻特性来实现逻辑存储的一种技术,是最有可能在45nm以下技术代取代SRAM、DRAM和Flash等当今主流产品而成...
![电阻型存储器器件与工艺研究]()
论文摘要存储器在半导体市场中占有重要的地位,随着便携式电子设备的不断普及,不挥发存储器在整个存储器市场中的份额也越来越大。目前,Flash占据了不挥发存储器市场90%的份额,但...
![高密度非挥发存储体系的建模与设计]()
论文摘要本文以下一代非挥发存储器的高密度解决方案为中心,针对相变存储器和阻变存储器分别进行了探索性的研究。在评估了相变单元多值存储的可行性后,我们提出并实现了基于物理机理的多值...
![基于阻性存储器高密度应用的工艺解决方案研究]()
论文摘要随着特性尺寸的不断缩小,Flash不挥发存储技术将面临尺寸极限挑战。基于硫系化合物材料的相变存储器和基于金属氧化的电阻存储器,由于其各自独特的存储特性优点,均被人为是是...
![用于相变存储器的硫系化合物及器件研究]()
论文摘要从2001年intel在IEDM发表第一篇相变存储器的论文到2005年samsung在VLSI发表256M的PCRAM的实验数据，相变存储器的发展迅猛。Intel甚至在...
