![高频光电导衰减法少子寿命测试仪设计]()
论文摘要随着微电子工业的发展,对于材料和器件的质量有了更高的要求,对少子寿命的测量也更加重视起来。少子寿命是半导体材料和器件的一个重要参数,对半导体器件的正向压降、开关速度以及...
![锗单晶的化学钝化研究]()
论文摘要锗氧化物尤其是GeO2由于其较差的电学性能和稳定性能,以及去除工艺的复杂性,历来被视为阻止锗半导体器件进一步广泛应用的阻碍。近来亚态非化学计量比的氧化物GeOx层受到很...
![单晶硅生长过程中工艺参数对少子寿命的影响]()
论文摘要本文在全球经济快速发展，化石能源日趋枯竭，环境问题日益严重的背景下，对当前亟待解决的降低太阳电池成本，提高太阳电池转化效率问题，在实际生产中给出了可行性措施。太阳能以它...
![4H-SiC PiN二极管少子寿命的研究]()
论文摘要SiC材料的优越性能与PiN结构的结合是现今开关二极管发展的研究热点。少子寿命是PiN二极管的重要参数,对二极管的正向导通电压,开关时间等都有着重要影响。少子寿命控制技...
![SiO2薄膜和磷铝吸杂对太阳电池用硅片少子寿命的研究]()
论文摘要表面钝化技术已成为太阳电池工业化生产的一项重要工艺,对提高太阳电池的开路电压和短路电流起着极其关键的作用。对于世界上超过20%的单晶硅太阳电池无一例外的均采用了表面钝化...
![快速热处理对多晶硅中杂质和缺陷行为的影响]()
论文摘要铸造多晶硅是光伏产业中最主要的太阳电池材料之一,但铸造多晶硅中高密度的杂质和结晶学缺陷(如位错和晶界等)是影响其太阳电池光电转换效率的重要因素。深入研究材料中缺陷和杂质...
![许烁烁：氧化铝钝化膜沉积工艺研究论文]()
本文主要研究内容作者许烁烁,陈特超,禹庆荣,刘舟（2019）在《氧化铝钝化膜沉积工艺研究》一文中研究指出：采用平板式等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备,开展氧化铝（Al...
