• InGaN太阳能电池的建模仿真与设计

    InGaN太阳能电池的建模仿真与设计

    论文摘要氮化镓铟(InGaN)太阳能电池是一种新型的半导体太阳能电池,它凭借禁带宽度可调且与太阳光谱完美匹配的特点,已成为国际上氮化物材料和新型高效太阳电池研究领域的前沿研究方...
  • 808-nm垂直腔面发射激光器的结构设计与研制

    808-nm垂直腔面发射激光器的结构设计与研制

    论文摘要垂直腔面发射激光器(VCSEL)和边发射半导体激光器相比有很多优点,如阈值低、没有光学灾变损伤以及可以二维集成等。808-nm半导体激光器主要用于泵浦固体激光器,但由于...
  • Ⅲ族氮化物量子阱光电子学特性和应用的研究

    Ⅲ族氮化物量子阱光电子学特性和应用的研究

    论文摘要Ⅲ族氮化物半导体,包括AlN,GaN和InN及它们所组成的三元化合物AlGaN,InAIN,InGaN和四元化合物InAlGaN,因为其禁带宽度覆盖了紫外到可见光的重要...
  • GaN蓝光LED生长特性研究

    GaN蓝光LED生长特性研究

    论文摘要本文主要介绍了GaN基蓝光LED具体生长方法,介绍各参数对产品性能的影响,并介绍了一些提高产品性能的手段:(1)、首先介绍了GaN的基本性质和生长过程中的主要影响参数,...
  • 量子阱、量子点中非线性光学特性的研究

    量子阱、量子点中非线性光学特性的研究

    论文摘要“强光光学”或通常所称的“非线性光学”作为一门新兴学科,它着重研究激光技术出现后,人们通过强相干光与物质之间的相互作用而陆续发现的一系列前所未知的各种光学现象和效应,包...
  • 基于DBR的单片集成白光LED理论及工艺研究

    基于DBR的单片集成白光LED理论及工艺研究

    论文摘要白光发光二极管LED(LightEmittingDiode)由于具有亮度高、寿命长、节能、绿色环保等显著优点,被公认为下一代照明光源。其中单片集成白光LED是未来LED...
  • PLD方法生长ZnO/ZnMgO量子阱及结构、光学性能研究

    PLD方法生长ZnO/ZnMgO量子阱及结构、光学性能研究

    论文摘要ZnO是一种重要的宽带隙半导体材料,与GaN的带隙宽度基本上相同,是制备紫外半导体发光器件和半导体激光器的理想材料。与GaN相比,ZnO不仅具有生长温度低、无毒、原料成...
  • 介观器件的光学特性

    介观器件的光学特性

    论文摘要在当代物理学领域中,凝聚态物理学占有极其重要的地位,而在凝聚态物理学的新进展中,低维物理又是一个极其活跃的分支,有着丰富的研究内容和深刻的物理内涵。它所描述的对象是一些...
  • 量子阱半导体光放大器的数值分析与动态特性研究

    量子阱半导体光放大器的数值分析与动态特性研究

    论文摘要半导体光放大器(SOA)在全光信号处理领域中的应用很广泛,对其特性进行改善显得尤为重要。SOA中载流子的特性在本质上与有源区的能带结构有关,对有源区的能带结构进行设计可...
  • 半导体超晶格结构中声子—极化激元与激子性质研究

    半导体超晶格结构中声子—极化激元与激子性质研究

    论文摘要自二十世纪七十年代以来,对以超晶格、量子阱等为代表的半导体低维结构的研究有力地推进了半导体研究和新一代高技术的发展。由于半导体低维结构具有新颖的物理性质和广泛的应用前景...
  • 极性半导体三元混晶及其低维系统中的声子极化激元

    极性半导体三元混晶及其低维系统中的声子极化激元

    论文摘要由于其独特的物理性质以及在异质结、量子阱、超晶格、量子线、量子点等半导体低维系统中的广泛应用,极性半导体三元混晶成为了制造许多新型的电子和光电器件的重要材料.因此,三元...
  • IV-VI族半导体低维结构的光学性质研究

    IV-VI族半导体低维结构的光学性质研究

    论文摘要Ⅳ-Ⅵ族半导体材料如PbSe和PbTe等具有许多独特的物理性质:窄的直接带隙(-0.3eV),对称的能带结构,重空穴带的缺失,以及低的俄歇复合率等,使其在中红外(波长范...
  • 基于介观和多体层面的对于半导体自旋电子学中若干问题的研究

    基于介观和多体层面的对于半导体自旋电子学中若干问题的研究

    论文摘要自旋电子学是一门研究如何在固体中有效地控制自旋自由度的新兴交叉学科,人们希望利用自旋自由度来取代或者结合传统电子学器件中的电荷自由度,从而实现新型的自旋电子学器件。研究...
  • 有机电致发光器件的制备工艺研究及器件结构优化

    有机电致发光器件的制备工艺研究及器件结构优化

    论文摘要有机电致发光器件(OLED)具有低压直流驱动、主动发光、色彩丰富、效率高、亮度强、寿命长、体积轻、能耗低以及响应速度快等许多卓越优点,被认为是新一代平板显示器(FPD)...
  • GaAs多层异质外延结构材料和SiC MESFET结构材料的X射线双晶衍射分析

    GaAs多层异质外延结构材料和SiC MESFET结构材料的X射线双晶衍射分析

    论文摘要X射线双晶衍射法(XRD)能够分析生长材料的结晶完整性、均匀性、层厚、组分、应变、缺陷和界面等重要信息,同时具有非破坏性、精度高、操作简便等优点,逐渐成为对晶体质量测试...
  • 超辐射发光管出射光谱的理论计算和实验验证

    超辐射发光管出射光谱的理论计算和实验验证

    论文摘要超辐射发光管(SLD)可以作为光纤陀螺(FOG)、波分复用光纤通讯及光处理技术、光时域反射仪(OTDR)等的光源,近些年来在国内外多有研究。为了提高超辐射管的性能,人们...
  • DNA电子结构与极化子传输的紧束缚方法研究

    DNA电子结构与极化子传输的紧束缚方法研究

    论文摘要DNA是生物界最重要的大分子体系,在生物进化中起着非常重要的作用,其结构中蕴藏着决定遗传、细胞分裂、分化、生长和蛋白质生物合成等生命过程的信息。近年来由于生命科学中的损...
  • 几类具体的分子和纳米材料的性质理论研究

    几类具体的分子和纳米材料的性质理论研究

    论文摘要本论文综合应用了一些具体的量子化学计算方法,对当前的几个热点问题进行了研究。并对可能的交叉学科和方向的研究工作的开展作了必要的前期尝试。首先,我们另辟蹊径,基于点群之间...
  • 太阳能电池及其应用技术研究

    太阳能电池及其应用技术研究

    论文摘要太阳能作为取之不尽同时又是生态学上纯净的能源,对它的开发利用在近几十年来越来越受到人们的重视。本论文在综合分析太阳能电池基本理论、类型、制备工艺、技术水平等现状的基础上...
  • 压力对极化子自陷能的影响

    压力对极化子自陷能的影响

    论文摘要本文计入极性半导体量子阱中三支光学声子模的作用,讨论了有限深量子阱中电子—声子相互作用和极化子自陷能的压力效应。考虑电子发射和吸收多个虚声子的影响,讨论了压力作用下极性...