二维效应论文

SOI薄膜（FD）器件模拟技术—深亚微米全耗尽SOIMOSFET阈值电压模型及新器件结构的研究
论文摘要SOICMOS电路因具有低结电容、二级效应小以及消除了闩锁效应、适于低压低功耗工作等优点,现已广泛的应用于高速低功耗IC设计领域。鉴于CMOS集成技术在现代VLSI领域...