多晶薄膜论文

GaN纳米材料的CVD制备与研究
论文摘要氮化镓（GaN）是宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的代表,其禁带宽度为Eg=3.4eV,具有高饱和电子漂移速度、高热导率、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高硬度等特性,是制作高效...
Cr2O3和CrO2纳米材料的制备和物性研究
论文摘要近年来,科学家发现当物质的大小处于纳米尺度（1-100nm）时,物质具有明显不同于宏观材料和原子、分子的物理和化学特性,其凝聚态结构特征对由其组成的宏观材料的光、电、磁...
太阳能电池的发展与分析
论文摘要太阳能是各种可再生能源中最重要的基本能源,生物质能、风能、海洋能、水能等都来自太阳能,广义地说,太阳能包含以上各种可再生能源。太阳能作为可再生能源的一种,则是指太阳能的...
多晶Ti1–xMxO2–δ（M=Fe，Cr）薄膜的结构、光学和磁学性质
论文摘要宽禁带半导体TiO2在光学薄膜、光催化剂和稀磁半导体等领域都具有广泛的应用前景。过渡族金属掺杂能够有效地改善TiO2的微观结构和性能,是近年来凝聚态物理和材料科学领域的...
大晶粒多晶Si薄膜的制备与结构表征
论文摘要多晶Si薄膜太阳电池研究引起了人们的广泛关注,而采用大晶粒多晶Si薄膜是提高其能量转换效率的一条可行途径。本工作采用低压化学气相沉积(LPCVD)和高频感应加热化学气相...