底栅型论文

氧化锌薄膜晶体管的制备与研究
论文摘要ZnO作为一种宽禁带半导体材料（室温下禁带宽度为3.37eV）,具有比GaN更高的激子束缚能（60meV）,具有良好的压电和光电等性能,继GaN之后成为光电研究领域的又...