• ZnO纳米线紫外探测器的制作及其性能的研究

    ZnO纳米线紫外探测器的制作及其性能的研究

    论文摘要ZnO是一种六方结构的直接宽带隙半导体材料,在室温下它的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,而且具有热稳定性高、对环境友好等优点,并且同其它材料相比,Zn...