![大气压氩气介质阻挡放电的电学特性和发射光谱研究]()
论文摘要在大气压下实现大面积均匀放电等离子体在工业应用上具有重要的意义。本文在大气压氩气中,对大面积介质阻挡放电分别进行了电学特性和电子激发温度进行了研究,主要成果如下：1.随...
![钽掺杂铪基高k栅介质薄膜的离子束制备与表征]()
论文摘要为了解决由栅介质层过薄而引起的漏电流显著增加的难题,人们引入了一种具有高介电常数（高k）的材料来取代传统的SiO2。其中,铪基高k材料由于具备较高的介电常数和结晶温度、...
![Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的制备与特性研究]()
论文摘要ZnO薄膜是一种Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙半导体材料,具有资源丰富、无毒性、在等离子体中稳定等优点,被认为是最有希望取代广泛使用的、稀有而昂贵的锡掺杂氧化铟（ITO）的透明导电...
![碳纳米管的分散及其器件的制备]()
论文摘要根据摩尔定律,人们预测：由于受硅（Si）元素本身物理特性的限制,电子元件的高集成趋势将在未来5-10年间将达到极限。碳纳米管因其独特的优良特性引起了人们的广泛注目,被视...
![ZnO基透明氧化物薄膜制备和性质研究]()
论文摘要ZnO是一种具有广泛用途的新型Ⅱ-Ⅵ族多功能半导体材料,其室温禁带宽度是3.37eV,具有良好电学和光学特性,是制作紫外探测器件和紫外发光器件的理想材料。目前生长较高质...
![AlGaN/GaN异质结构的变温电学特性]()
论文摘要AlGaN/GaN异质结构HEMT作为微波大功率器件以其优异的性能而成为目前国际上的一个研究热点,随着GaN薄膜生长技术的提高,对于异质结构的研究不仅仅是追求常规常温下...
![氧化锌陶瓷靶材的制备]()
论文摘要ZnO（ZincOxide）是II-VI族具有纤锌矿结构的直接带隙半导体材料,晶体类型为六角柱结构。ZnO禁带宽度为3.34eV,在氢等离子体中具有很高的稳定性,而且Z...
![GaN薄膜结构的高分辨X射线衍射表征及其电学特性分析]()
论文摘要Ⅲ-Ⅴ族氮化物GaN因其具有宽禁带半导体材料的典型优点而在光电器件、光探测器、新颖高性能微电子器件等领域得到广泛应用,成为目前国际上半导体技术发展的热点。然而由于GaN...
![Gd掺杂CeO2电解质薄膜的生长与电学特性研究]()
论文摘要掺杂CeO2基电解质材料替代传统的YSZ电解质材料是发展中温固体氧化物燃料电池的趋势,是目前SOFC领域的研究热点之一。掺杂浓度为10%～20%左右的Gd2O3掺杂的C...
![大晶粒多晶Si薄膜的制备与结构表征]()
论文摘要多晶Si薄膜太阳电池研究引起了人们的广泛关注,而采用大晶粒多晶Si薄膜是提高其能量转换效率的一条可行途径。本工作采用低压化学气相沉积(LPCVD)和高频感应加热化学气相...
![透明导电薄膜CdIn2O4的研究和高速光电探测器频响的测量]()
论文摘要(一)透明导电薄膜CdIn2O4薄膜光电特性的研究采用射频反应溅射Cd-In靶在玻璃衬底上制备CdIn2O4（CIO）薄膜。理论上阐述了CIO薄膜的导电机理,分析了热处...
![马鹏飞：CNT纳米碳填料含量对航天用EP/CFDSF材料性能的影响论文]()
本文主要研究内容作者马鹏飞,韩生华（2019）在《CNT纳米碳填料含量对航天用EP/CFDSF材料性能的影响》一文中研究指出：研究了在环氧树脂(EP)中同时加入碳纤维双层间隔织...
![杨小霞：Ca3Mn2O7薄膜的脉冲激光法制备及其电学性质论文]()
本文主要研究内容作者杨小霞,王守宇,李松钖,佟保远,尚玉雪（2019）在《Ca3Mn2O7薄膜的脉冲激光法制备及其电学性质》一文中研究指出：为了验证Ca3Mn2O7薄膜铁电性的...
