氮化硅镁论文

碳化硅等含硅纳米材料的溶剂热合成
论文摘要SiC半导体材料是第三代宽带隙（WBP）半导体材料。由于具有优异的性质如:宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等,使其在高温、高频、大功率、光电子及抗...