掺杂的薄膜论文

ZnO薄膜的表面形貌与应力特性研究
论文摘要ZnO是宽禁带直接带隙半导体材料,禁带宽度达3.37eV,ZnO的激子束缚能为60MeV,高于GaN材料的21MeV,更易于实现室温紫外受激发射。而且,ZnO易于找到晶...