玻璃衬底论文

超声喷雾热解法ZnO薄膜的制备及其性能研究
论文摘要ZnO是一种非常重要的多功能直接带隙型宽禁带半导体材料。其禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV。高的激子束缚能使得激子可以稳定存在于室温,因此理论上该材料具...
玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜及其特性分析
论文摘要氮化镓（GaN）属于Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体,具有纤锌矿晶体结构,室温下的禁带宽度为3.39eV,是新一代宽禁带半导体材料,具有广泛的应用。首先,GaN可制成高效蓝、绿光...