• 多孔硅光电性能研究

    多孔硅光电性能研究

    论文摘要由于硅是具有窄的、间接能隙的半导体材料,因此不能有效地发出可见光。直到1990年,室温下发光的多孔硅(PS)的发现为发展硅基光电器件提供了广阔的前景,1996年以PS为...
  • SiO2薄膜和磷铝吸杂对太阳电池用硅片少子寿命的研究

    SiO2薄膜和磷铝吸杂对太阳电池用硅片少子寿命的研究

    论文摘要表面钝化技术已成为太阳电池工业化生产的一项重要工艺,对提高太阳电池的开路电压和短路电流起着极其关键的作用。对于世界上超过20%的单晶硅太阳电池无一例外的均采用了表面钝化...
  • CdSe单晶体生长工艺与探测器性能研究

    CdSe单晶体生长工艺与探测器性能研究

    论文摘要硒化镉(CdSe)晶体平均原子序数高,对射线的阻止本领强;禁带宽度大,电阻率高,漏电流较小;载流子的迁移率一寿命积较大,电荷收集效率高;化学稳定性好,不潮解,机械加工性...