保持时间论文

基于自组装金属纳米晶MOS电容存储效应及其机理的研究
论文摘要相对于传统的FLASH存储器而言,基于纳米晶（NCs）的非易失性存储器（NVM）因其离散俘获陷阱中心存储行为及对局部氧化层缺陷具有极大的免疫能力而被广泛研究,是新一代非...
CMOS工艺中提高DRAM保持时间的研究
论文摘要动态随机存储器（DRAM）具有很低的单元存储成本和很高的集成密度,使它成为了商用中最广泛使用的半导体存储器。最近几年,随着计算机硬件和软件的快速发展,对先进的计算动态随...