论文摘要
氧化镍是具有典型的3d电子结构的半导体氧化物,是一种P型氧化物材料,它的禁带宽度在3.0-4.0eV之间。由于NiO薄膜具有很好的化学稳定性,较好的光学,电学和磁学特性,被广泛应用于电致变色器件,电池电极,气体传感器及智能窗等领域。制备NiO薄膜的方法有很多,比如磁控溅射,电子束蒸发,溶胶-凝胶,分子束外延等。在这些方法中,反应磁控溅射法是应用较为广泛的一种,薄膜的性质与一定溅射条件有关,如反应气体的比例,溅射压强,溅射功率和衬底温度等。本论文采用射频磁控溅射法在不同溅射电压,不同氧氩比下制备了NiO薄膜,并对所得薄膜进行测试:分别用X射线衍射仪（XRD）,紫外-可见（UV-VIS）分光光度计,四探针范德堡法研究了薄膜的结构,光学,电学等特性。同时对退火后薄膜的光学和电学特性进行了初步探讨,给出了实验结论。
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