磁控溅射制备NiO薄膜光电特性研究

磁控溅射制备NiO薄膜光电特性研究

论文摘要

NiO(氧化镍)是一种宽禁带半导体材料,呈现p型导电性质而且它具有较好的化学、电学,光学和磁学特性,因此得到了人们广泛的研究并且在各种光电器件,例如:紫外探测器,化学传感器的功能层,电致变色超级电容,有机发光二极管上得到了应用。本论文首先综述了NiO薄膜的性质、应用和常用的制备方法,在制备方法中射频磁控溅射法是较为常用的一种薄膜制备技术,但是各种溅射参数对薄膜的性质有很大的影响。本文中也采用射频磁控溅射法在不同溅射电压、O2/Ar、衬底温度和靶距下制备了NiO薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的结构进行研究、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计、四探针范德堡法分别对薄膜光学和电学性质进行了深入的研究。文章最后给出了实验结论。

论文目录

  • 摘要
  • ABSTRACT
  • 目录
  • 第一章 绪论
  • 1.1 透明导电薄膜的分类
  • 1.2 透明导电氧化物薄膜的发展趋势和应用
  • 1.3 本论文的研究意义和主要研究内容
  • 第二章 NiO薄膜性质和制备技术
  • 2.1 NiO薄膜的基本性质
  • 2.2 NiO薄膜的应用
  • 2.3 NiO薄膜的制备方法
  • 2.4 NiO薄膜的表征方法
  • 第三章 磁控溅射制备氧化镍薄膜
  • 3.1 磁控溅射原理和特点
  • 3.2 磁控溅射NiO薄膜成膜过程和主要影响因素
  • 3.3 NiO薄膜的制备过程
  • 3.4 NiO薄膜性质测试结果
  • 第四章 溅射电压不同时NiO薄膜的性质变化及影响
  • 4.1 溅射电压不同时NiO薄膜的结构特性
  • 4.2 溅射电压不同时NiO薄膜的光学特性
  • 4.3 溅射电压不同时NiO薄膜的光学带隙
  • 4.4 溅射电压不同时NiO薄膜的电学特性
  • 2/Ar不同时NiO薄膜的性质变化及影响'>第五章 O2/Ar不同时NiO薄膜的性质变化及影响
  • 2/Ar不同时NiO薄膜的结构特性'>5.1 O2/Ar不同时NiO薄膜的结构特性
  • 2/Ar不同时NiO薄膜的光学特性'>5.2 O2/Ar不同时NiO薄膜的光学特性
  • 2/Ar不同时NiO薄膜的光学带隙'>5.3 O2/Ar不同时NiO薄膜的光学带隙
  • 2/Ar不同时NiO薄膜的电学特性'>5.4 O2/Ar不同时NiO薄膜的电学特性
  • 第六章 衬底温度和靶距不同时NiO薄膜的性质变化及影响
  • 6.1 衬底温度不同时NiO薄膜的结构特性
  • 6.2 衬底温度不同时NiO薄膜的光学特性
  • 6.3 衬底温度不同时NiO薄膜的电学特性
  • 6.4 靶距不同时NiO薄膜的性质及其影响
  • 结论
  • 致谢
  • 参考文献
  • 相关论文文献

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