籽晶层论文

集成电路制造中选择性锗化硅外延工艺研究
论文摘要根据摩尔定律：集成电路特征尺寸每18个月将减小30%,集成度增加一倍,产品性价比增加一倍。在先进CMOS中,传统靠减薄栅氧化层厚度的方法已经不能满足器件的需求。于是人们...
集成电路铜互连工艺中先进扩散阻挡层的研究
论文摘要随着集成电路器件尺寸的持续缩小,互连延迟越来越成为制约集成电路发展的瓶颈问题。在32nm及以下技术节点,互连工艺中磁控溅射制备的Ta/TaN双层结构扩散阻挡层和铜籽晶层...