轴择优取向论文

论文摘要氧化锌（ZnO）是一种直接带隙宽禁带（3.37eV）Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有较大的激子束缚能（60meV）,可以在室温下实现紫外光的受激发射,为短波长发光器件和激...

论文摘要ZnO是一种II-VI族直接宽带隙半导体,有望取代GaN用于新一代的短波长光电器件。近年来以ZnO为沟道层的透明薄膜晶体管引起人们广泛的兴趣,如何低成本、大面积地制作高...