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  • 金刚石基LiNbO3压电薄膜的制备与声表面波性能研究

    金刚石基LiNbO3压电薄膜的制备与声表面波性能研究

    论文摘要随着现代电子设备信息处理量的扩大,通信载波频率必须向更高的频段移动,声表面波(SAW)滤波器是现代无线移动通信系统的关键器件之一,其频率f由材料的声表面波传播速度V和叉...
  • ZnO和AZO薄膜的制备及特性研究

    ZnO和AZO薄膜的制备及特性研究

    论文摘要近年来,氧化锌(ZnO)作为一种新型的直接宽禁带半导体材料,受到了众多研究学者的关注。室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV,这一特性使其具有出色的短波长发光能力。ZnO...
  • 择优取向生长的ZnO薄膜的制备及氧化物薄膜生长过程的分子动力学模拟

    择优取向生长的ZnO薄膜的制备及氧化物薄膜生长过程的分子动力学模拟

    论文摘要氧化锌(ZnO)作为一种新型的直接宽禁带氧化物半导体材料,近年来受到了研究者的广泛关注。室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV,这一特性使其具有出色的短波长发光能力。Zn...
  • 硅衬底晶体结构对LiNbO3薄膜生长的影响

    硅衬底晶体结构对LiNbO3薄膜生长的影响

    论文摘要现代科学的热门领域是光电集成和光子学集成,其中光电集成是将光-电两种信号的处理功能集成在一块芯片上,光子学集成研究的重要内容是集成光的发射、调制、接收和处理功能的光学器...
  • ZnO低维材料的液相化学法制备、掺杂及生长机制研究

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    论文摘要氧化锌(ZnO)是近年来研究最为广泛的半导体材料之一。作为一种典型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带金属氧化物半导体,ZnO的禁带宽度达到3.4eV,因此具有出色的短波长发光能力;高达6...
  • 钛硅分子筛TS-1膜的制备、结构引导及应用

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    论文摘要钛硅分子筛(TS-1)膜具有沸石膜材料的独特性能,可用于膜反应器,实现反应与分离过程的有效集成,以提高反应转化率,达到强化反应过程的目的;除此之外,TS-1膜可制成透明...
  • 脉冲激光沉积法制备硅基LiNbO3薄膜及其性能研究

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    论文题目:脉冲激光沉积法制备硅基LiNbO3薄膜及其性能研究论文类型:博士论文论文专业:材料物理与化学作者:王新昌导师:叶志镇关键词:薄膜,硅基,轴取向,脉冲激光沉积,光波导,...
  • 聚烯烃(共混物)取向结晶与形变机理的研究

    聚烯烃(共混物)取向结晶与形变机理的研究

    论文题目:聚烯烃(共混物)取向结晶与形变机理的研究论文类型:博士论文论文专业:材料学作者:那兵导师:傅强关键词:聚烯烃,剪切,取向结晶,附生结晶,轴取向,串联模型,粘性力文献来...
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