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异质外延机理论文

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  • 3C-SiC/Si异质外延生长与肖特基二极管伏安特性的研究

    3C-SiC/Si异质外延生长与肖特基二极管伏安特性的研究

    论文摘要SiC具有独特的物理性质和电学性能,击穿电压高、电子饱和漂移速率高、电子迁移率高、热导率高、和化学稳定性好,可用于高温、高速、高频等极端条件。相对于同质外延来说,3C-...
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