氧锌镁合金论文

MgZnO薄膜材料的MOCVD法生长、退火及其发光器件研究
论文摘要ZnO是具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙半导体材料，室温带宽约为3．37eV，激子束缚能为60meV。ZnO和GaN的能带间隙和晶格常数非常接近，可互相提供缓冲层，有相近...