氧化镍薄膜论文

论文摘要氧化镍是具有典型的3d电子结构的氧化物半导体,是一种p型半导体材料,禁带宽度是在3.6～4.0eV之间。因为氧化镍薄膜具有优良的光电特性,而被广泛应用于紫外探测器,电致...

本文主要研究内容作者张翼东（2019）在《热氧化法制备NiO薄膜及其在光伏器件中的应用》一文中研究指出：在氩气气氛下通过磁控溅射法在ITO基底上制备出单质镍薄膜,然后在空气中于...