形貌变化论文

ZnO纳米结构材料的可控合成、掺杂及性能调控研究
论文摘要作为一种新型的宽禁带半导体材料,ZnO具有直接带隙结构,室温下的禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能为60meV,ZnO还具有原料丰富,成本低廉,对环境友好无污染等优点...