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物理气相淀积论文

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  • 铜互连中PVD Ta/TaN阻挡层的性能改进与缺陷控制研究

    铜互连中PVD Ta/TaN阻挡层的性能改进与缺陷控制研究

    论文摘要随着集成电路的发展,与低介电系数介质相结合的铜互连技术逐步代替铝互连。然而铜有易氧化、易扩散的缺点,很容易扩散入介质影响晶体管效能。这就要求有一种材料能把铜保护起来,和...
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