• 集成电路制造中选择性锗化硅外延工艺研究

    集成电路制造中选择性锗化硅外延工艺研究

    论文摘要根据摩尔定律:集成电路特征尺寸每18个月将减小30%,集成度增加一倍,产品性价比增加一倍。在先进CMOS中,传统靠减薄栅氧化层厚度的方法已经不能满足器件的需求。于是人们...