斯塔克能移论文

氮化物半导体量子点中的束缚极化子、激子及应变效应
论文摘要本文针对以AlN、GaN和InN为代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光方面以及低维结构中所体现出来的极化效应以及单轴异性等其他特性,首先在有效质量近似下利用变分法研究有...