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    氧化锌微纳结构的生长及其压电器件研究

    论文摘要氧化锌(ZnO)是一种多功能宽带隙(3.37eV)Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体材料,室温下的激子束缚能高达60meV。ZnO还具有良好的热稳定性和生物兼容性,无毒无污染,是一种...
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    论文摘要CuInS2(CIS)化合物是带隙宽度为1.53eV的直接带隙半导体,与太阳能光谱匹配较好,吸收系数高达105cm-1,并且对辐射和杂质不是特别的灵敏。在各种薄膜太阳能...
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    论文摘要近年来,ZnO纳米结构材料在纳米电子元器件的制备方面发挥了巨大的潜力,并逐渐受到人们的关注。目前,ZnO纳米结构材料已经被应用于场效应晶体管、单电子晶体管、光电二极管、...
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