曝光后烘烤延迟论文

半导体光刻工艺中图形缺陷问题的研究及解决
论文摘要在摩尔定律的指引下,半导体工艺的发展经历了从0.35微米到0.25微米,0.18微米,0.13微米,直到现在国内大量生产的最先进的工艺0.09微米,同时0.045微米也...