纳米棒和纳米钉阵列论文

Li掺杂p型Zn1-xMgxO薄膜及ZnO和ZnMgO纳米材料的研究
论文摘要ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，其室温禁带宽度为3．37eV，激子束缚能为60meV，远大于室温热能（26meV），因而理论上会在室温下获得高效的紫外激子发光和激...