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  • ZnO低维材料的液相化学法制备、掺杂及生长机制研究

    ZnO低维材料的液相化学法制备、掺杂及生长机制研究

    论文摘要氧化锌(ZnO)是近年来研究最为广泛的半导体材料之一。作为一种典型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带金属氧化物半导体,ZnO的禁带宽度达到3.4eV,因此具有出色的短波长发光能力;高达6...
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