空穴子带跃迁论文

Si/SiGe量子阱空穴子带跃迁及其在中远红外光发射/探测器中的应用研究
论文摘要Si微电子技术已取得巨大成功,然而由于体材料Si的间接带隙特性,发光效率比直接带隙的GaAs等化合物材料低五个量级,如何在硅基材料系实现高效率发光,已成为发展硅基光电子...