绝缘体刻蚀论文

论文摘要随着设计技术进一步发展,通过以C4F6为基础的刻蚀制程气体在MERIE技术eMAX反应腔室的应用,可以扩大eMAX机台绝缘体材料刻蚀130nm及以下制程的窗口。C4F6...

论文摘要随着超大规模集成技术的发展,为了满足芯片尺寸的日益缩小,193nm光阻被广泛采用。由于193nm光阻的结构,其光阻的图形在绝缘体刻蚀中不容易保持完整,表面粗糙,条纹现象...