金属半导体接触论文

IrO2/n-ZnO接触电学特性的研究
论文摘要氧化锌（ZnO）是一种具有六方结构的II-VI族宽带隙半导体材料,室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,具有优良的物理和化学性质。ZnO目前广泛应用于压...
碲锌镉晶体表面处理、金属电极接触特性及其In掺杂行为
论文摘要Cd1-xZnxTe（CZT）晶体具有优异的光电性能，是迄今制造室温X射线及γ射线探测器最为理想的半导体材料。尽管对CZT的研究由来已久，但在CZT晶体的表面处理、金属...