激光分子束外延法论文

氧化物衬底上AlN薄膜的制备及对GaN薄膜的诱导生长研究
论文摘要第三代宽禁带半导体材料具有击穿场强大、热导率高、载流子迁移率高、抗辐射能力强等特性，在发光二极管（LED）、激光二极管（LD）等光电器件以及高温、高频和大功率电子器件都...